Оперативная память Goodram 8 ГБ, 2666 МГц, CL19 SR DIMM

DRAM DDR4 DIMM

Pamięć RAM Goodram 8GB 2666MHz CL19 SR DIMM

• Pojemność: 8 GB
• Format DIMM
• Napięcie zasilania 1,2 V
• Częstotliwość: 2666 MHz

DRAM DDR4 DIMM

Moduły pamięci DDR4 to świetne rozwiązanie do PC. Generacja DDR4 jest najpopularniejszym obecnie formatem w rodzinie modułów pamięci, wybieranym przez użytkowników.

Gotowy do pracy

Pamięci GOODRAM DDR4 posiadają 4 GB, 8 GB, 16 GB i 32 GB pamięci w jednym module. Częstotliwości gwarantowane na poziomie 2400, 2666, 3200 MHz powodują, że moduły GOODRAM są najprostszym sposobem by przyspieszyć Twój komputer.

Najwyższa jakość

Wszystkie moduły pamięci GOODRAM produkowane są w Polsce na bazie starannie wyselekcjonowanych komponentów i przechodzą wielostopniowe testy jakości zanim wyruszają w świat. Dział Kontroli Jakości dba o to, aby każdy moduł był doskonale przygotowany na późniejszą eksploatację.

Oszczędność energii

W porównaniu do starszych technologicznie rozwiązań, moduły DDR4 charakteryzują się napięciem zasilania na poziomie 1,2 V, dzięki czemu możliwe jest ograniczenie kosztów eksploatacji urządzenia i wzrost oszczędności energii elektrycznej nawet o 40% w porównaniu do poprzedniej generacji. Odmienna, w stosunku do pamięci starszych generacji, budowa płytki PCB modułów DDR4 znacząco wpływa na wzrost odporności na uszkodzenia mechaniczne jak również skoki napięcia w urządzeniu. Dzięki temu moduły DDR4 cechują się niezawodnością, jak również stabilnością działania nawet w najmniej sprzyjających warunkach pracy.

DDR4 DIMM DRAM

Generacja DDR4 jest najpopularniejszym obecnie formatem w rodzinie modułów pamięci, wybieranym przez użytkowników. Pamięci GOODRAM DDR4 posiadają 4 GB, 8 GB, 16 GB i 32 GB pamięci w pojedynczym module. Częstotliwości gwarantowane na poziomie 2400 i 2666 oraz 3200 MHz powodują, że moduły GOODRAM są najprostszym sposobem by przyspieszyć Twój komputer.

SPECYFIKACJA TECHNICZNA:

• Pojemność: 8 GB w pojedynczym module
• Rodzaj pamięci: DDR4 DIMM
• Częstotliwość: 2666 MHz
• Opóźnienia: CL19
• Organizacja kości: 1024x8
• Napięcie: 1,2 V